中国晶片业状况不断！ 传长鑫存储因人为失误导致数万片晶圆报废
【记者吕承哲／台北报导】中国半导体产业近期面临多事之秋，不仅传出华为白手套事件，还有美国商务部要求台积电等先进晶片技术公司禁止出口7奈米以下晶片给中国AI客户，最新消息传出，中国DRAM大厂长鑫存储的合肥厂区生产线出现人为失误，导致数万片晶圆报废，相关人员遭到惩处。
创见董事长束崇万：Q3营运相对艰难 明年市场供需有望好转
【记者吕承哲／台北报导】记忆体模组厂创见（Transcend）于今（6）日举行法说会，创见董事长束崇万则是在与媒体交流会针对市况进行分析，坦言第三季对创见来说，是相对艰难的一季，主要因为产业供过于求，导致价格持续下滑，加上库存压力加剧，使公司承受了较大的库存损失，不过，第四季有望价格有望趋于平稳，虽然市场供给过剩的情况仍然持续，但认为明年市场供需有望好转。
英特尔放弃Lunar Lake后记忆体进CPU封装 郭明𫓹点出失败3关键
【记者吕承哲／台北报导】英特尔（Intel）执行长季辛格（Pat Gelsinger）在第三季财报会议后透露，为了追求更高的利润，Lunar Lake处理器的架构仅限这一代，引发市场热烈讨论，Panther Lake将舍弃本来设计，并减少委外代工的比重。对此，天风国际分析师郭明𫓹分析，由此可见，英特尔面对的挑战不仅是制程落后，更深层的问题在于产品规划能力。
爱普*Q3财报｜AI WAFER销售显著增加 毛利率升至52%
【记者吕承哲／台北报导】爱普*(6531) 5日召开法说会，公布第三季财报显示，单季营收达新台币12.7亿元，季增35%、年增3%，毛利率提升至52%，较上季上升1个百分点，较去年同期上升11个百分点。前三季营收累计29.67亿元，较去年减少3.16%，但营业毛利达14.93亿元，年增幅达19.85%，每股盈余（EPS）为6.63元，与去年相同。
创见将于electronica 2024展出新一代工业级储存产品
【记者吕承哲／台北报导】嵌入式记忆体储存领导品牌「创见资讯(Transcend Information, Inc.)」将参展于11月12日至11月15日在德国慕尼黑展览中心举行、全球规模最大的电子零组件专业双年展electronica 2024，于Hall B4第340号摊位展示全系列工业级储存解决方案及最新产品，全面满足车用电子、医疗电子及嵌入式系统等应用领域的多元需求。
HBM5 20hi将采用hybrid bonding！商业模式大变化 台积电担重任
【记者吕承哲／台北报导】随著AI浪潮推升高频宽记忆体（HBM）需求，HBM产品成为DRAM产业关注焦点，连带让hybrid bonding (混合键合)等先进封装技术发展受瞩目，根据调研机构集邦科技TrendForce最新调查，三大HBM原厂正在考虑是否于HBM4 16hi采用hybrid bonding，并已确定将在HBM5 20hi世代中使用这项技术。
三星半导体利润暴减4成！狂输2对手 陆行之：不要惹到台积电
【记者吕承哲／台北报导】南韩科技巨头三星电子（Samsung Electronics）31日公布第三季财报，三星电子半导体部门（DS）营业利润为3.86兆韩元，季减40%，远远低于市场预期，对此，资深半导体分析师陆行之表示，从各种因素评断，「结论就是不要惹到台积电，否则死的很难看」。
力积电：印度Fab IP头款入袋 中介层即将量产交货
【记者吕承哲／台北报导】台、印合作建置12吋晶圆厂计划正式启动！晶圆代工厂力积电表示，已收到塔塔集团支付的Fab IP第一期款项，新厂设计作业将积极推进。同时，通过客户验证的高容值中介层（Interposer)也将量产交货。
创见发表工业用DDR5 6400记忆体模组 提升高效能与稳定性
【记者吕承哲／台北报导】全球记忆体储存领导品牌创见资讯 (Transcend Information, Inc.) 推出全新工业用DDR5 6400记忆体模组，模组设计符合JEDEC国际标准规范，采用Major原厂等级DRAM晶片，并通过厂内100%可靠性测试，适合用于工业自动化、智慧医疗、边缘运算等高要求的应用场景，为工业应用提供极致的效能与可靠性。
中国最想毁台积电！张忠谋连喊「全球化已死」 谢金河曝生存关键
【记者吕承哲／台北报导】台积电创办人张忠谋伉俪出席26日的台积电运动会，赢得全场欢呼，财信传媒董事长谢金河表示，这位带领台积电在全球攻城掠地的老英雄，已经是无人可以取代的国宝，谢金河也以「为什么台积电是护国神山？以三星为鉴！」为题，说明台湾反而因为张忠谋所强调的「全球化已死」受惠。
十铨推出业界首款工业级记忆体模组 加强应用效率及稳定性
十铨科技工控宣布，推出业界首款工业级 DDR5 6400MHz CU-DIMM/CSO-DIMM 记忆体模组，因应高频率对讯号稳定性的影响，导入特殊元件 CKD (client clock driver) 对时脉的讯号进行缓冲与驱动，确保讯号可以在高频状态下依旧稳定且完整，为工业储存技术树立全新的标竿。 十铨具备 DDR5 Clocked Unbuffered Dual Inline Memory Module 模组技术，可依据系统负载和运行环境调整频率与电压，以实现卓越的数据传输速度和优化的功耗表现，同时能全面支持工业应用中多变负载的需求，提供性能卓越可靠的解决方案。
HBM助攻！SK海力士Q3营收年增飙94% 喊「记忆体寒冬」外资认错
【记者吕承哲／综合外电】南韩记忆体大厂SK海力士近日公布第三季财报，营收来到17.57兆韩元（约为127亿美元）、年增幅高达94%，创下单季历史新高，营运利润高达7.03兆韩元，较去年同期亏损1.8兆韩元相比转亏为盈，还远远打败市场预期，这使得先前喊出「记忆体寒冬」的外资摩根士丹利（Morgan Stanley）认错，调高SK海力士目标价。
未来4大营运主轴！力积电推出3D AI Foundry 抢攻AI商机
【记者吕承哲／台北报导】晶圆代工厂力积电22日法说会后，与合作伙伴、记忆体矽智财（IP）厂爱普*发表3D AI Foundry策略，以多层晶圆堆叠、高容值中介层(Interposer)制造技术，成为美商AMD、一线逻辑代工厂及大型封测厂(OSAT)合作伙伴，并已透过新技术承接订单，预计在明年下半逐步放量。
力积电Q3财报｜每股亏0.69元创新低 遭认列铜锣P5厂拖累
【记者吕承哲／台北报导】晶圆代工厂力积电22日举行法说会，第三季合并营收来到116.51亿元，季增5％，年增12%，前三季累计营收达335.94亿元，本季毛利为亏损4.89亿万元，营业净损28.79亿元，每股亏损0.69元创新低，前三季合计亏损为1.27元。力积电强调，公司仍保持344亿元现金部位，总资产达1915多亿元，负债1019亿元，总权益895亿元，财务结构稳健。
仅HBM撑大局！调研：买方去库存化优先 Q4记忆体价格涨幅收敛
【记者吕承哲／台北报导】调研机构集邦科技TrendForce最新调查显示，今年第三季消费型产品需求疲软，记忆体市场主要由AI Server需求支撑，加上HBM逐渐取代部分DRAM产品产能，供应商对合约价格维持强硬立场。尽管Server OEM持续拉货，智慧手机品牌仍在观望。TrendForce预估，第四季记忆体整体平均价格涨幅将大幅缩减，DRAM价格增幅预计落在0%至5%，但在HBM需求增加的带动下，整体DRAM价格可望上涨8%至13%。
2025将迎来记忆体寒冬？ 调研盘点HBM三雄表现、2大挑战浮现
【记者吕承哲／台北报导】近期有外资报告喊出「记忆体寒冬」，市场开始担忧AI产业将在2025年供需平衡，进而导致高频宽记忆体（HBM）及DRAM等记忆体库存堆高，对此，调研机构集邦科技TrendForce资深研究副总吴雅婷指出，明年厂商能否依照期望大量转进HBM3e仍是未知数，加上量产HBM3e 12hi的学习曲线长，甚至是某些厂商的验证进度，目前尚难判定是否会出现产能过剩态势。
三星3奈米GAA恐亏损120亿元 它建议学英特尔：将晶片制造部门拆分
【记者吕承哲／综合外电】随著先进制程持续推进，目前仅剩下台积电、三星以及英特尔，尤其又以台积电获得约6成晶圆代工市占率最高，英特尔则是展开财务体质改革，晶圆代工业务（IFS）会设立子公司，让晶片设计与制造部门分开运作，根据媒体报导，南韩证券圈认为，三星应该效法英特尔，将晶圆代工部门拆分。
SEMI：未来3年半导体设备支出将达4000亿美元 中韩台贡献前3
【记者吕承哲／台北报导】国际半导体产业协会（SEMI）近日公布最新市场研究报告，预计从2025年到2027年，全球半导体设备支出将达到创纪录的4000亿美元，主要是12吋晶圆厂的本地化行动推进以及对资料中心和边缘装置所使用的AI晶片需求不断推升所致，尤其又以中国、南韩以及台湾为主。
一扫记忆体寒冬阴霾！HBM助攻美光缴出亮眼财报 盘后涨15％
【记者吕承哲／台北报导】日前摩根士丹利（大摩）研究报告突然变脸，本来看好AI拉升记忆体需求，尤其是DRAM与高频宽记忆体（HBM）供不应求，预计市场缺口达23%，甚至将出现超级周期，没想到现在喊出「记忆体寒冬将至」，如今，美光公布最新财报，营收年增达93%，财测也高于市场预期，并喊出HBM供不应求，让该公司股价盘后大涨近15%。
3奈米卡关？传三星改动平泽P4晶圆厂生产计划 全力冲刺HBM
【记者吕承哲／综合外电】南韩科技大厂三星电子在近期被媒体报导指出，其3奈米GAA技术良率低，甚至在年初还保持在个位数，之后才逐步爬升至20％，但仍离量产的60％水准相差甚远，导致搭载在自家旗舰手机的Exynos 2500晶片量产出现问题。对此，有媒体报导指出，三星目前在南韩平泽P4工厂，可能会把产能让给记忆体晶片生产，同时放弃先进制程扩产计划，全力冲刺高频宽记忆体（HBM）。
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