Counterpoint表示，虽然新一代DDR5与LPDDR5同样面临涨价压力，但幅度仍不及DDR4、LPDDR4剧烈，部分产品第二季价格波动区间达-5%至+10%，而第三季更预估将上涨20%至30%，这一波涨价风潮与COVID-19期间类比零组件带动整体价格上升的情况如出一辙。
其中，中国厂商长鑫存储（CXMT）在第一季于DDR4与LPDDR4市占分别达10%与20%（以bit计），压抑价格下行。预期至2025年末，其在DDR5与LPDDR5市占将提升至7%与9%，未来或将在高阶记忆体价格上扮演平衡角色。
在高效能LPDDR4市场方面，三星以40%市占居领导地位，受惠于来自NVIDIA等AI伺服器客户稳定需求，支撑其营收与产能调度。与疫情时期的全面停产不同，目前厂商对旧品采取较为弹性的生产策略，短期供应中断风险相对可控。
此外，2025年上半年，各大记忆体厂商积极推动资本支出与技术升级。Kioxia宣布未来五年将产能翻倍；Micron则提出总额达2,000亿美元的长期扩产计划。三星与SK海力士则聚焦HBM高频宽记忆体产品布局，预计至2026年前强化在AI市场的技术领先。
SK Hynix将于今年底向NVIDIA供应HBM4产品，抢先一步抢占先进AI记忆体市场；三星则正推进HBM3e 12层版本的认证工作，双方并调整资源配置，将部分产能自传统DRAM转往HBM，助推DRAM价格进一步走扬。
中国记忆体产业尽管在1z制程与HKMG技术仍受限于设备取得与研发门槛，但包含CXMT、长江存储与华为等正积极投入垂直通道电晶体（VCT）与3D DRAM架构开发，力拚突破2D设计极限，以期达成中长期自主化技术目标。
Counterpoint Research研究总监MS Hwang提醒，企业策略规划不应忽视技术进程与供应链风险同步加剧，唯有提前因应、强化产品与生产弹性，才能在记忆体市场重构之际占得先机。
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