Rapidus 表示，在全球 AI 基础设施、资料中心与车用电子持续扩张的背景下，Rapidus 企图把握先端制程供给不足的产业窗口，重返国际尖端半导体战线。 Rapidus 在报告强调，全球 2 奈米市场至 2030 年将出现 10% 至 30% 的供给缺口。在 AI 训练与推论晶片需求不断成长之际，市场对先进制程的依赖大幅增加，但各国建厂速度与技术成熟度仍难以在短期内完全补足缺口。
Rapidus 计划优先锁定 AI 资料中心相关的客制化晶片（ASIC）与美国大型云端业者（Hyperscalers）为首批客户，其后将进一步扩展至车用、机器人等 Edge 设备领域。
技术研发方面，Rapidus 在北海道千岁市建置的 IIM-1 先进制造基地进展快速，并已在 2025 年 7 月于千岁试作出 2 奈米 GAA 电晶体并成功确认动作。公司并与美国 IBM、比利时 imec、德国 Fraunhofer、新加坡科技研究局（A*STAR）等国际半导体研究机构合作，逐步累积先端制程所需的关键 IP 与制程经验。
报告也提到，后段制程将于 2025 年启动试产线，并同步开发大型面板级封装、2.xD 与 3D 封装技术，以形成从前段到后段的完整量产能量。
Rapidus 最大的研发策略之一，是借由其「短 TAT（Turn Around Time）」模式缩短制程试作周期，包含全枚叶式制程流程、效能更高的搬送系统及 AI 辅助的设计平台。公司指出，传统先进制程从设计到改善的周期较长，而其差异化技术可望大幅缩短研发至量产所需时间，进而提高客户设计导入速度，这也将成为抢下 AI 与高效能运算（HPC）大客户的重要武器。
在资金规划上，Rapidus 全案的投资规模将达 7 兆日圆以上。其中，研究开发约需 2.6 兆日圆、量产扩建则超过 4 兆日圆。已确定由政府补助的部分约为 1.7 兆日圆，其余则将透过民间出资、银行融资与政府债务保证等方式取得。
政府方面强调，每年将依专案进度、民间出资状况、实际研发成果等指标进行审查，并逐年检视预算。Rapidus 也正在筹措至少 1 兆日圆民间资金，以完善资本结构并因应量产前的庞大资本支出需求。
从Rapidus 的报告来看，日本正在展现重返先进制程竞争的决心，若以上时程可以顺利推进，未来全球先进制程市场将形成台湾、韩国、美国与日本并列的新竞合局面，而 Rapidus 能否在技术、成本与量产良率上达成目标，也将成为全球半导体产业关注的焦点。
點擊閱讀下一則新聞
