鸿海研究院携手SEMICON Taiwan举办论坛　聚焦SiC、矽光子AI应用

论坛以「Power & Optoelectronics: Unlocking the Future of AI」为题，探讨碳化矽（SiC）、氮化镓（GaN）在AI伺服器功率解决方案上的突破，矽光子技术在高速网路互联的应用，以及生成式AI与大型语言模型带动下，能源转换效率、热管理与高速通讯的产业挑战。论坛指出，化合物半导体将是提升能源效率与支持高速传输的关键。

鸿海S事业群总经理陈伟铭表示，化合物半导体市场将自170亿美元快速成长至2030年的300亿美元，碳化矽已在电动车与快充扮演要角，氮化镓则在5G与高频领域展现优势，两者同样是AI伺服器与高效能运算的核心。他强调，随著材料与制程技术突破，化合物半导体将推动资料中心与智慧应用的全面升级。

鸿海研究院半导体研究所也发表与国立阳明交通大学、美国伊利诺大学香槟分校的合作成果，在第四代半导体β-氧化镓（β-Ga₂O₃）中导入间隔层设计，成功形成二维电子气（2DEG），大幅提升导通能力与耐压特性，相关成果已刊登于国际期刊《Advanced Electronic Materials》。研究所所长郭浩中指出，随著AI伺服器对能源效率需求升高，功率半导体的技术突破将成为产业核心。

论坛最后，鸿海研究院展示在SiC、GaN与Ga₂O₃等材料上的研发成果，并与业界探讨AI伺服器、电动车与新世代通讯应用的未来机遇，展现其持续推动半导体创新与落地应用的决心。