ALTUS Halo 是科林研发 ALTUS 产品系列的最新成员，协助晶片制造商克服微缩挑战。随著市场对效能需求提升，更先进的半导体制程变得不可或缺。目前，原子级金属沉积技术已成为先进晶片制造的关键。科林研发二十多年前率先开发钨原子层沉积技术，广泛应用于接点和线路沉积。然而，随著 NAND、DRAM 和逻辑元件进一步微缩，晶片制造商需寻找更低电阻率的金属化技术，ALTUS Halo 的推出，将引领半导体产业从钨转型到钼的过程。
科林研发全球产品事业群资深副总裁 Sesha Varadarajan 表示，ALTUS Halo 是 20 多年来原子层沉积领域的最重大突破。该设备结合了 Quad-Station 模组架构与 ALD 技术进展，实现高精度、低电阻率的钼沉积，满足 1,000 层 3D NAND、4F2 DRAM 及先进环绕式闸极逻辑元件的需求。
半导体运作需透过电子讯号快速传输，当无法使用铜时，传统上是以钨填充奈米级导线。在传统的钨布线中，需要增加额外的阻障层以防止不必要的电子相互作用，随著 NAND、DRAM 和逻辑元件微缩到更复杂架构像是 3D 整合，电子讯号必须透过更严格的连接传输。这增加了潜在的瓶颈并使速度变慢，而且在某些情况下还可能发生电子短路。
钼则能克服此限制，主要是在奈米级线路具有更低电阻率，而且不需要粘附层或阻障层，可减少制程步骤，提高生产效率与晶片运行速度。科林研发凭借创新沉积技术，率先在量产环境中应用钼 ALD，并使其成为可行方案。相比传统钨金属化，ALTUS Halo 可提供超过 50% 的电阻改善。
ALTUS Halo 针对不同金属化需求进行最佳化，透过化学与导热灵活性，以及电浆技术适应温度敏感元件，实现精确沉积。该技术已获 3D NAND 制造商初期采用，并于韩国、新加坡的晶圆厂部署，在逻辑晶圆厂亦有应用，与 DRAM 客户则持续开发中。
美光科技 NAND 开发企业副总裁 Mark Kiehlbauch 表示，钼金属化的整合使美光科技能够率先向市场推出领先业界 I/O 频宽和储存容量的最新世代 NAND 产品。科林研发的 ALTUS Halo 设备使美光科技将钼投入量产成为可能。
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