英特尔官网介绍，18A制程相较于Intel 3制程，在每瓦效能上提升15%，晶片密度提升30%，进一步推动半导体技术发展。这项技术是北美首个2奈米以下的先进制程，为客户提供更具韧性的供应选择。
英特尔说明，18A制程的核心创新之一是采用PowerVia晶背供电技术，有效提升密度和电池利用率5%至10%，并减少电源传输造成的电阻效应，使ISO电源效能提升最多4%。相较于传统前置供电设计，该技术显著降低内建电阻（IR）损失。
18A制程采用RibbonFET闸极全方位（GAA）电晶体技术，能精确控制电流，进一步缩小晶片组件尺寸并减少漏电，对于高密度晶片设计尤为关键。HD MIM电容器的应用则显著降低感应电源掉落，提升晶片运行稳定性，尤其适用于生成式AI等高运算需求场景。
为确保技术顺利导入，英特尔与超过35家业界领先的生态伙伴合作，包括EDA、IP、设计服务、云端运算及航太防卫领域，加速技术普及与应用。
相较之下，台积电2奈米（N2）采用第一代奈米片（Nanosheet）电晶体技术，以提升效能与降低功耗，计划2025年开始量产。台积电说明，主要客户已完成2奈米矽智财（IP）设计并进行验证。台积电进一步发展低阻值重置导线层及超高效能金属层间电容，以持续提升2奈米技术效能。
台积电指出，2奈米制程于2025年量产时，将成为业界在密度与能源效率方面的领先技术。其采用的奈米片电晶体结构，可提升效能与功耗效率，满足节能运算需求。此外，台积电推出N2P制程作为2奈米家族的延伸，提升效能与功耗表现，计划于2026年下半年量产。
台积电更是强调，A16制程采用超级电轨技术（Super Power Rail，SPR），将供电线路移至晶圆背面，释放更多讯号线路布局空间，以提升逻辑密度与效能，预计2026年下半年量产。SPR技术亦能大幅降低IR drop，提高供电效率。此外，台积电独特的backside contact技术，能维持与传统正面供电相同的闸极密度、布局版框尺寸与元件宽度调节弹性，进一步提升密度与速度。
台积电表示，A16制程特别适用于高效能运算（HPC）产品，相较N2P，A16在相同电压下速度可提升8%至10%，或在相同速度下降低15%至20%功耗，并提升1.07至1.10倍的晶片密度。
台积电在先前法说会指出，在智慧型手机与HPC应用推动下，2奈米技术前两年产品设计定案（tape-outs）数量将高于3奈米与5奈米同期表现。也有市场消息传出，台积电2奈米已进入试产阶段，新竹宝山厂2奈米月产能预计提升至2.5万片，年底前新竹与高雄厂合计月产能将达5万片，甚至可能上看8万片。台积电则是不予置评，表示2奈米将按计划于2025年下半年量产，其量产曲线预期将与3奈米相似。
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