台积电表示，目前看到对N3的旺盛需求，并预期在HPC和智慧手机相关应用的带动下，下半年N3将强劲成长，预计今年N3将占台积电全年晶圆营收的中个位数（mid-single digit）百分比。
至于N3E为台积电3奈米家族的延伸，具有更好的效能、功耗和良率，将为HPC和智慧手机相关应用提供完整的支持平台。目前N3E已通过验证并达成效能与良率目标，预计在第4季量产。
台积电表示，将持续强化3奈米制程技术，预期客户在接下来数年将有强劲需求，有信心3奈米家族将成为台积电另一个大规模且有长期需求的制程技术。
至于台积电N2制程技术研发进展顺利，将如期在2025年进入量产。台积电的N2将采用奈米片（Nanosheet）电晶体结构，为客户提供最好的效能、成本、以及技术成熟度。
台积电的奈米片技术展现绝佳的能源效率，N2将效能及功耗效率提升一个世代，以满足日益增加的节能运算需求。作为N2技术平台的一部分，台积电也在N2发展出背面电轨（backside power rail）解决方案，此一设计最适于HPC相关应用。
在基线技术之上，背面电轨将使速度提升10~12%，逻辑密度提升10~15%，预计2025年下半年向客户推出背面电轨，并于2026年量产。
台积电表示，观察到N2在HPC和智慧手机相关应用方面引起许多客户的兴趣和参与，台积电2奈米制程技术推出时，在密度和能源效率上都将会是业界最先进的技术，并将进一步扩展技术领先。
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