BCD技术可在单一晶片上整合类比、数位与电力元件，是电源管理与混合讯号IC的关键制程。联电最新的55奈米BCD平台提供多元化解决方案，满足不同应用对效能与可靠度的需求。
其中，非磊晶（Non-EPI）制程以高性价比方案支援行动及消费性电子装置，提供优异电源效率与性能；磊晶（EPI）制程则符合AEC-Q100 Grade 0车规标准，支援高达150V操作电压，在极端环境下维持高可靠性；而绝缘层上覆矽（SOI）制程符合AEC-Q100 Grade 1标准，具备优异抗杂讯、高速运作与超低漏电特性，适用于高阶车用与工业控制应用。
联电进一步整合超厚金属层（UTM）、嵌入式快闪记忆体（eFlash）及电阻式随机存取记忆体（RRAM）技术，全面提升晶片效能与系统整合弹性，为客户打造高可靠度、高整合度的电源管理解决方案。
联电技术研发副总经理徐世杰表示，55奈米BCD平台的推出是联电在特殊制程布局的重要里程碑，不仅完善BCD制程产品线，也进一步巩固联电在电源管理市场的竞争优势。他指出，虽然市场上已有成熟的55奈米BCD制程，但联电此次推出的全新平台在元件特性与整合弹性上更具突破，可协助客户开发下一代智慧电源解决方案，应用范围涵盖智慧型手机、穿戴装置、汽车电子、智慧家庭与智慧工厂。
目前联电已建构业界最完整的BCD技术组合，制程节点横跨0.35微米至55奈米，提供广泛电压范围、丰富IP资源与完整设计支援，协助客户加速产品开发进程。联电强调，将持续深化智慧电源与混合讯号领域的技术能量，与全球客户共同推动高效能、低功耗的电源管理新时代。
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