相比之下，三星的12层HBM3E至今仍未获得辉达（NVIDIA）认证通过，韩媒则是在日前揭露，三星与AMD达成一项供应协议，三星将供应12层HBM3E给MI350 AI 加速器使用，但现在美光 HBM4送样，正在紧追SK 海力士进度，并努力拉开与三星在HBM市场的差距。
美光表示，HBM4 采用先进的 1β（1-beta）DRAM 制程与经验丰富的 12 层封装技术，并结合强大的记忆体内建自我测试（MBIST）功能，为开发下一代 AI 平台提供高效、可靠的整合解决方案。
此次推出的 HBM4 在性能与能源效率上大幅提升，记忆体介面宽达 2048 位元，传输速率每堆叠超过 2.0TB/s，较前一代提升超过 60%。这意味著在处理大型语言模型与思路链推理等 AI 应用时，能实现更高推论效率与反应速度，协助推动智慧医疗、金融科技、交通运输等多元领域的技术突破。
在能源效率方面，美光延续 HBM3E 的优势，再次刷新业界标准。HBM4 能以更低功耗提供更高吞吐量，能源效率提升超过 20%，不仅大幅降低资料中心能耗，也有助于降低总持有成本（TCO），为企业创造更高营运效益。
美光资深副总裁暨云端记忆体事业部总经理 Raj Narasimhan 表示：「HBM4 展现卓越效能、领先频宽与产业首屈一指的能源效率，进一步巩固美光在高效能记忆体市场的技术优势。透过与客户紧密配合，我们的 HBM4 生产进度可无缝接轨下一代 AI 平台需求，并在适当时机扩大产能。」
美光指出，HBM4 将于 2026 年正式量产，搭配其完整的 AI 记忆体与储存产品组合，将持续扮演推动智慧应用革新的关键角色。随著 AI 技术的广泛应用，美光也进一步强化其作为全球 AI 生态系统核心推手的战略定位。
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