碳化矽产业链分成上游的基板与长晶技术，中游的功率元件与模组设计、制造以及封测，下游则是终端应用，其中，碳化矽基氮化镓（GaN on SiC）被视为是未来的主流技术，因碳化矽基板导热性优异，氮化镓磊晶层品质佳，适合应用在5G基地台、低轨卫星等应用。
碳化矽（SiC）功率元件在2018年由电动车大厂特斯拉率先导入以来，让市场加速发展，尽管碳化矽在长晶技术突破后快速进展，并实现6吋、8吋晶圆的制造，但其加工难度也随之提高。
工研院机械与机电系统研究所副组长张高德指出，碳化矽的莫氏硬度仅次于钻石，加工技术门槛远高于矽晶圆。研磨与轮磨作为主要加工方式，但碳化矽的硬脆性易使砂轮钝化与晶圆裂纹等问题频发，需频繁停机修整或更换砂轮，推高加工成本。
为解决此难题，工研院研发「AI智能晶圆研磨加工系统」，利用AI声频感测器监测加工过程的砂轮填塞与钝化状态，结合内嵌超音波辅助模组，利用振动去除砂轮碎屑，保持砂轮锐利度。此创新技术不仅提升加工效率3至5倍，可大幅降低加工成本，对于碳化矽晶圆制造成本中占比超过40%的加工环节影响深远。
该系统不仅适用于碳化矽晶圆加工，亦可应用于矽晶圆、蓝宝石等高硬度材料，为台湾精密加工技术带来全面升级。随著台湾技术突破，未来有机会从成本劣势转向技术优势，提升国际竞争力。
回到市场现况，市调机构Yole Group指出，中国半导体厂商在SiC市占率正在逐步增加，规划未来5年持续扩大产能，目标是要在2027年达到总产能的4成以上，加上中国成熟制程无限制扩产，导致成熟制程晶圆代工厂面临压力，台湾厂商也试图扭转局面，找寻新机会。世界先进在2024年9月10日发布重讯指出，董事会通过取得汉磊科技私募普通股，投资24.8亿元取得汉磊13％股权，抢进SiC市场。
汉磊则是表示，由于世界先进在电源管理等业务发展与汉磊同方向，双方将合作抢攻8吋SiC晶圆技术研发与制造等领域，预期2026年下半年量产，锁定工控与消费产品，预计1、2年后成本与价格可以与6吋竞争。此外，旗下嘉晶也传出GaN大客户获得GPU大厂验证通过，打进伺服器电源市场，预料能对整个集团营运有加乘作用。
此外，拜登政府也在去年12月底发动301调查，其中针对中国在SiC等半导体材料的相关行径、政策及做法调查，评估是否让供应链在基础半导体领域产生危险的依赖，这使得成熟制程、矽晶圆相关族群在股价当时迎来一波上涨。
不过，目前SiC的市场发展不可能因为一项调查就扭转局势，事实上，该产业市场规模也一直在扩大，Yole Group推估，至2029年全球GaN市场容量将达22亿美元，未来五年复合成长率为29％；而受到工业和汽车应用的推动，SiC的市场规模将在2029年达到100亿美元。
为了支持台湾SiC晶圆产业链发展，工研院去年也与日本半导体化学材料制造大厂德山、国内筑波科技成立「化合物半导体粉体制程及晶体验证实验室」，以高纯粉体合成、晶体长晶、材料检测分析等先进技术与关键设备建置，推动台湾化合物半导体材料开发与验证的技术平台，将资源整合并提供给业界，推动台湾半导体产业往下一个世代技术推进。
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