科林研发推出干式光阻技术　有效解决EUV成本与良率权衡问题

干式光阻是科林研发推出的先进图案化技术，可提高极紫外光（EUV）微影的解析度、生产量和良率，而极紫外光（EUV）微影是生产下世代半导体元件的关键技术。

科林研发技术长暨永续长 Vahid Vahedi 表示：「科林研发的干式光阻技术提供了前所未有的低缺陷率、高解析度的图案化，我们很高兴向 imec 及其合作伙伴提供这项技术，作为先进半导体元件设计和制造的关键制程。」

随著晶片制造商迈向先进技术节点，电晶体的特征和间距尺寸持续缩小。积极推进的下世代元件技术蓝图需要可直接印刷 28 奈米间距的后段制程（BEOL）来实现微缩。小的间距尺寸通常会导致图案解析度较差，但科林研发的干式光阻技术克服了众所皆知的 EUV 曝光剂量（成本）和缺陷率（良率）之间的权衡，有助于最佳化图案化。

在 imec，科林研发的干式光阻制程与低数值孔径极紫外光（Low NA EUV）机台配对，并可扩展到高数值孔径极紫外光的设备。它们提高了 EUV 灵敏度和每个晶圆通道的解析度，从而改善成本、效能和良率。此外，干式光阻比现有的湿式化学光阻制程消耗更少的能源和减少五到十倍的材料，提供了关键的永续性优势。科林研发的技术优于湿式光阻材料，缺陷率极低，且成本具竞争力。

「透过联合研发，imec 担当设备制造商的中立合作伙伴，展示新材料和设备的可行性，支援制程开发，并为整合元件制造商和晶圆厂提供早期获得创新制程的机会，从而加速其制造进程。」imec 制程技术副总裁 Steven Scheer 表示：「科林研发的干式光阻技术以具有竞争力的曝光剂量实现了优异的低缺陷率和高保真度。」