更多关于英特尔晶圆代工在今年IEDM发表的的技术论文，连结在此。
英特尔晶圆代工展示了减材钌（subtractive Ruthenium）技术，这一创新材料有助于提升晶片内部互连效能。透过这项技术，晶片的电晶体容量可提升25%。减材钌技术利用薄膜电阻和气隙来替代传统铜电晶体，解决了铜在未来节点微缩过程中的限制，并成功将线间电容幅度降低至25奈米间距。这项技术将在未来的英特尔晶圆代工节点中得以实现，成为半导体微缩的重要突破。
在封装方面，英特尔晶圆代工展示了选择性层迁移（SLT）技术，这是一种异质整合解决方案，可以实现超高速的晶片对晶片组装。这项技术提高了吞吐量达100倍，并使晶片对晶圆键合更加灵活且具成本效益。通过SLT，超薄小晶片能在不同晶圆之间实现更小尺寸和更高的功能密度，为AI应用架构的效率提升奠定基础。
英特尔晶圆代工在IEDM上展示了矽RibbonFET CMOS技术，这项技术将环绕式闸极微缩推向极限。即便在闸极长度缩小至6奈米后，该技术仍能维持优异的效能，显示出其在微缩过程中的潜力。这一技术不仅符合摩尔定律，还推动了闸极长度微缩的新进展，对未来的电晶体制程具有深远意义。
为了进一步推动环绕式闸极技术，英特尔晶圆代工展示了在GAA 2D FET的闸极氧化物模组上的突破。这项技术使闸极长度达到30奈米，并专注于二维过渡金属二硫族化物（TMD）半导体的研究，这些材料有望在未来取代传统矽，成为先进电晶体制程中的核心材料。
此外，英特尔晶圆代工还展示了业界首个300毫米氮化镓（GaN）技术，这项技术将对功率电子和射频（RF）产品产生深远影响。氮化镓相比矽能提供更高的效能，并能在更高电压和温度下运行。这项技术的成功实现，将大大提高射频和功率电子产品的效能，并为未来的高效能计算设备铺平道路。
英特尔晶圆代工在IEDM会议中进一步阐述了其对先进封装和电晶体微缩技术的愿景，特别是在AI应用领域中的需求。为了应对未来AI需求的挑战，英特尔强调了三个关键推动力：先进记忆体整合、互连频宽最佳化和模组化系统扩充，这些技术将有效提升AI运算效率。
英特尔晶圆代工的最新突破显示出该公司在半导体技术领域的领先地位，并展现了其对摩尔定律延续的承诺。英特尔晶圆代工资深副总裁暨元件研究部总经理Sanjay Natarajan表示，这些创新不仅是为了提升效能，更是为了实现AI时代的需求，特别是在超低电压运行和能效方面。未来，英特尔将继续推动行业采用革命性创新，为实现兆级电晶体时代的微缩需求奠定基础。
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