科林研发全球产品事业群资深副总裁 Sesha Varadarajan 表示，Lam Cryo 3.0 为客户迈向 1,000 层 3D NAND 奠定基础，科林研发已经使用科林研发低温蚀刻制造了五百万片晶圆，这项最新技术是 3D NAND 生产领域的突破。它以埃米级精度建立高深宽比（HAR）特征，同时对环境造成更低的影响，且蚀刻速率是传统介电层制程的两倍以上。Lam Cryo 3.0 是科林研发的客户在人工智慧时代突破 NAND 关键制造挑战所需的蚀刻技术。
迄今为止，3D NAND 主要透过储存单元的垂直层堆叠取得进展，这是透过蚀刻深而窄的 HAR 储存通道实现的。蚀刻轮廓的极小原子级误差可能会对晶片的电效能产生负面影响，并可能影响良率。经过最佳化的 Lam Cryo 3.0，可解决上述提及和其他微缩方面的蚀刻挑战。
Counterpoint Research 联合创办人暨研究副总裁 Neil Shah 表示，人工智慧正在推升云端和边缘的快闪记忆体容量和效能的大量需求。促使晶片制造商扩大 NAND 快闪记忆体的规模，力争在 2030 年底前实现 1,000 层 3D NAND。Lam Cryo 3.0 低温蚀刻技术是突破传统技术的大跃进。它以近乎完美的精度和控制来蚀刻深宽比 50 倍以上的储存通道，实现小于 0.1% 的蚀刻轮廓误差。这一突破显著提高了先进 3D NAND 的良率和整体效能，使晶片制造商能够在人工智慧时代保持良好的竞争力。
Lam Cryo 3.0 利用该公司独特的高功率局限电浆反应器、制程改善和远低于 -0oC 的温度，从而利用新型蚀刻化学制程。与科林研发最新的 Vantex® 介电层系统的可扩展脉冲电浆技术结合时，蚀刻深度和轮廓控制显著增加。使用 Lam Cryo 3.0 技术，3D NAND 制造商可以蚀刻深度高达 10 微米的储存通道，从顶部到底部的关键尺寸误差*小于 0.1%。
科林研发于 2019 年将全球首款低温蚀刻产品投入量产。如今，在 NAND 生产中使用的超过 7,500 个科林研发 HAR 介电层蚀刻腔体中，已有近 1,000 个使用低温蚀刻技术。Lam Cryo 3.0 现以提供领先的记忆体制造商使用。它是科林研发用于 3D NAND 制造的广泛蚀刻、沉积和清洗解决方案组合的最新成员。
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