台积电业务开发及海外营运资深副总暨副共同营运长张晓强在上月的台积电技术论坛表示，台积电与三家HBM业者，包括SK海力士、美光以及三星都有合作，SK海力士则是HBM领导厂商，张晓强强调，要把逻辑IC与HBM结合需要许多先进技术，也还有许多问题要解决。
台积电与SK海力士于4月签署合作备忘录，共同开发HBM4技术，预计2026年量产，为了提高效能，SK海力士当时声明表示，双方针对封装在最底层的基础裸晶（Base Die）进行效能改善，将采用先进逻辑制程，海力士将DRAM裸晶（Core Die）堆叠在Base Die之上，透过TSV技术连接，采用台积电CoWoS先进封装技术，达到GPU控制HBM的目标。
SK海力士也在今年4月宣布，斥资38.7 亿美元在美国印第安那州兴建先进记忆体封装厂，预计2028年开始营运，生产HBM4、HBM4E等记忆体产品。
高频宽记忆体（HBM）为各家先进技术的记忆体厂商发展重点，由于市面上的AI伺服器处理器绝大多是都是由辉达（NVIDIA）所供应，目前也仅有辉达有需求采购最先进的HBM，HBM3E（第五代HBM3E）是目前效能最优秀的AI用DRAM。美光、SK海力士以及三星去年下半年向辉达送样8层垂直堆叠HBM3E，美光、SK海力士都已经获得辉达验证，但是三星仍未通过，主要是因为效能与发热问题。
据《CNBC》报导，Alphinity Investment Management全球投资组合经理Trent Masters表示，SK海力士在HBM3处于领导地位，让该公司有更大的竞争优势，因为AI浪潮推升HBM需求持续大幅增加，虽然三星、美光试图缩小技术差距，但是SK海力士在最初的HBM发展与客户合作所取得的信任与可靠性，确保他们在客户间可以发挥巨大影响力。他也表示，三星的问题在于，他并不是一家纯记忆体厂商，有太多的部分可能会与客户业务有所竞争。
根据调研机构集邦科技TrendForce去年底的研究报告指出，受惠于工业级伺服器记忆体 DDR5 渗透率大幅提升，2023年第三季SK海力士以市占率49.6%、销售额18.5亿美元的成绩挤下三星，成为全球最大的伺服器 DRAM 厂商，而这数据还未包括HBM业务。
《路透》先前报导，双方的竞争差距除了SK海力士率先在HBM3E市场崭露头角，还有双方制程的差异，三星坚持使用TC-NCF技术，SK海力士则是采用MR-MUF技术，比起三星的良率与散热表现都还要优异。据传三星已经追寻SK海力士制程，就是为了要缩小双方差距，但未获三星证实。
黄仁勋表示，辉达将在2026年推出新一代架构平台，也就是Rubin，预计Rubin GPU将首度采用HBM4，预计采用8 颗 HBM4， Rubin Ultra GPU 则是采用 12 颗 HBM4。同时释出 Vera CPU的消息，预计在2027年会推出Rubin Ultra GPU。无论如何，若按照辉达的发展路径来看，无论是居于领先的SK海力士，或是产能规模还不比主要厂商的美光，甚至是目前验证流程落后的三星，能够在2026年之前推出让辉达满意，又可以符合AI晶片所需的先进封装厂商台积电的需求，是这些先进记忆体厂商竞争的关键。
點擊閱讀下一則新聞
