威刚今天举行内湖总部启用典礼，陈立白受访时说，储存型快闪记忆体（NAND Flash）市场库存估计将于今年底或明年1月底去化完成，在供应商积极减产下，产品价格2周弹升3成。
陈立白表示，动态随机存取记忆体（DRAM）方面，DDR5规格产品涨价速度比预期快，自低点至今已反弹5成；DDR4规格产品价格涨幅相对较小。
他指出，目前DRAM制造厂销售DDR5产品可以小赚，DDR4产品价格则在成本边缘，预期制造厂将会把DDR4产能转为生产DDR5，而DDR4在供应减少下，明年产品价格涨幅可望扩大。
陈立白表示，除制造厂减产效应，人工智慧（AI）导入个人电脑（PC）和手机应用，将可带动需求增长，预期明年包括DRAM及NAND Flash都可能出现供不应求，记忆体产业景气看好，威刚营运也可望缴出不错成绩单。
陈立白说，记忆体制造厂今年来亏损惨重，短期恐难以投资扩充新世代产品产能，预期这波记忆体多头荣景可望延续1年半至2年。（中央社）
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