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创见推出全新CFX735系列CFast记忆卡 内建防写保护

创见推出全新CFX735系列CFast记忆卡 内建防写保护

【记者吕承哲/台北报导】嵌入式记忆体储存领导品牌「创见资讯(Transcend Information, Inc.)」推出全新CFX735及CFX735I CFast记忆卡,配备资料防写保护功能,专为保护资料安全与高效稳定写入的专业应用设计。此系列记忆卡采用112层3D NAND Flash技术,搭载SATA III 6Gb/s传输介面,提供卓越的读写速度与超大容量,无论在资料密集型应用,或是严苛环境中,皆可稳定运行。

AI及库存回补驱动成长 调研:2025年晶圆代工产值将年增20%

AI及库存回补驱动成长 调研:2025年晶圆代工产值将年增20%

【记者吕承哲/台北报导】调研机构集邦科技(TrendForce)于16日举行的「AI时代半导体全局展开 – 2025科技产业预测」研讨会上,数位分析师针对晶圆代工、HBM、NAND Flash、AI伺服器、面板级封装以及AI PC等领域分享了深入见解。集邦科技研究副理乔安以「从晶圆代工动态预测2025 AI产业发展」为题,分析了过去几年及未来半导体产业的变化,并重点探讨产能利用率、产能扩张及地缘政治对市场的影响。

研调:NAND Flash第二季总营收季增14.2% 出货成长开始放缓

研调:NAND Flash第二季总营收季增14.2% 出货成长开始放缓

【记者吕承哲/台北报导】根据研调机构集邦科技TrendForce最新调查,由于server终端库存调整接近尾声,加上AI刺激大容量存储产品需求,2024年第二季NAND Flash价格持续上涨,但因为PC和智慧型手机买方库存偏高,导致第二季NAND Flash位元出货量季减1%,平均销售单价则增加15%,总营收达167.96亿美元,较前一季成长14.2%。

3奈米卡关?传三星改动平泽P4晶圆厂生产计划 全力冲刺HBM

3奈米卡关?传三星改动平泽P4晶圆厂生产计划 全力冲刺HBM

【记者吕承哲/综合外电】南韩科技大厂三星电子在近期被媒体报导指出,其3奈米GAA技术良率低,甚至在年初还保持在个位数,之后才逐步爬升至20%,但仍离量产的60%水准相差甚远,导致搭载在自家旗舰手机的Exynos 2500晶片量产出现问题。对此,有媒体报导指出,三星目前在南韩平泽P4工厂,可能会把产能让给记忆体晶片生产,同时放弃先进制程扩产计划,全力冲刺高频宽记忆体(HBM)。

苹果新机3大看点!年底总销量有望超越三星 研调揭今年定价策略

苹果新机3大看点!年底总销量有望超越三星 研调揭今年定价策略

【记者吕承哲/台北报导】苹果秋季发表会在即,根据研调机构集邦科技TrendForce最新调查,即将发表的iPhone 16系列新机将分别采用全新A18和A18 Pro处理器,并为了支援Apple Intelligence,将DRAM全面升级。TrendForce表示,市场对Apple Intelligence的期待在WWDC24后发酵,加上2023年基期较低,预估苹果4款新机在2024年下半年的生产出货总量将落在8,670万支,年增近8%。

4大驱动力带旺DRAM 研调:明年记忆体产业营收将创高

4大驱动力带旺DRAM 研调:明年记忆体产业营收将创高

【记者吕承哲/台北报导】研调机构集邦科技TrendForce最新研究报告指出,受惠于位元需求成长、供需结构改善拉升价格,加上HBM等高附加价值产品崛起,预估DRAM及NAND Flash产业2024年营收年增幅度将分别增加75%和77%。

供应商主导价格 研调估本季NAND Flash合约价涨幅上看20%

供应商主导价格 研调估本季NAND Flash合约价涨幅上看20%

【记者陈修凯/台北报导】据TrendForce研究显示,尽管适逢传统淡季需求呈现下降趋势,但为避免缺货,买方持续扩大NAND Flash产品采购以建立安全库存水位,而供应商为减少亏损,对于推高价格势在必行,预估2024年第1季NAND Flash合约价季涨幅约15~20%。

第3季NAND Flash产业营收季增2.9% 研调估本季成长逾2成

第3季NAND Flash产业营收季增2.9% 研调估本季成长逾2成

【记者陈修凯/台北报导】 TrendForce表示,第3季NAND Flash市场变化主要转捩点为三星(Samsung)积极减产的决策,之前买方认为终端需求能见度仍低,担忧旺季不旺,因此维持低库存、缓提货的采购策略。随著龙头业者大幅减产,买方出于对供应将显著减少的预期心理,采购态度转趋积极。第3季底时NAND Flash的合约议价方向已朝止跌甚至涨价发展,促使第3季NAND Flash位元出货季增3%,整体合并营收92.29亿美元,季增2.9%。

NAND Flash下季价格将反弹 研究机构估涨幅0~5%

NAND Flash下季价格将反弹 研究机构估涨幅0~5%

【记者陈修凯/台北报导】  近日三星(Samsung)为因应需求持续减弱,宣布9月起扩大减产幅度至50%,减产仍集中在128层以下制程为主,据TrendForce调查,其他供应商预计也将跟进扩大第4季减产幅度,目的加速库存去化速度,预估第4季NAND Flash均价有望因此持平或小幅上涨,涨幅预估约0~5%。

厂商扩大减产 第4季NAND Flash合约价季涨幅估达8~13%

厂商扩大减产 第4季NAND Flash合约价季涨幅估达8~13%

【记者陈修凯/台北报导】据TrendForce研究显示,由于供应商严格控制产出,NAND Flash第4季合约价全面起涨,涨幅约8~13%。展望2024年,除非原厂仍能维持减产策略,且需要留意伺服器领域对Enterprise SSD需求是否回温,否则在缺乏需求作为支撑的前提下,NAND Flash要延续涨势将有难度。

拜拜解签嘛ㄟ通! 群联aiDAPTIV+革命性技术备受瞩目

拜拜解签嘛ㄟ通! 群联aiDAPTIV+革命性技术备受瞩目

【记者曾佳俊/综合报导】全球AI商机蓬勃发展,台湾人工智慧协会(TAIA)主办的「AI Talk专题演讲」昨日登场,群联电子技术长林纬受邀说明aiDAPTIV+技术方案的革命性技术创新和生态系统发展,现场互动热络。他说,透过群联方案,连到庙里拜拜解签「嘛ㄟ通」,甚至医疗领域也助益甚大,这项革命性的方案,大幅降低成本,aiDAPTIV+获得高度关注。

研调估明年首季Mobile DRAM、NAND Flash均价涨幅达18~23%

研调估明年首季Mobile DRAM、NAND Flash均价涨幅达18~23%

【记者陈修凯/台北报导】 据TrendForce预估,2024年第1季Mobile DRAM及NAND Flash(eMMC/UFS)均价季涨幅将扩大至18~23%。同时,不排除在寡占市场格局或是品牌客户恐慌追价的情况下,进一步垫高涨幅。

大厂降价求售!重挫第3季NAND Flash产业营收 研调:季减逾24%

大厂降价求售!重挫第3季NAND Flash产业营收 研调:季减逾24%

【记者黄意淳/台北报导】研调机构TrendForce分析,第3季NAND Flash市场仍不敌需求疲弱冲击,无论在消费电子或伺服器领域出货皆劣于预期,导致第3季NAND Flash价格跌幅扩大至18.3%。此外,总经持续看弱,个人及企业支出转趋保守,企业采购动能也因此熄火,从而使库存压力蔓延至原厂,连带销货压力遽增。

花莲强震撼动记忆体产业!美光暂停DRAM报价 韩2大厂跟进

花莲强震撼动记忆体产业!美光暂停DRAM报价 韩2大厂跟进

【记者吕承哲/台北报导】台湾花莲3日发生规模芮氏规模 7.2 地震,调研机构集邦科技(TrendForce)于第一时间调查各厂受损以及运作状况指出, DRAM 产业大多落在台湾北部、中部,北部林口地区震度最大测得4~5级,各厂陆续停机检查,由于美光科技(Micron)DRAM产能主要集中在台湾地区,该公司率先停止DRAM报价,三星、SK海力士虽然没有厂区在台湾地区,也跟进停止报价,观望后市再行动。

研调估明年DRAM、NAND需求位元年增2位数 价格要反弹须看这因素

研调估明年DRAM、NAND需求位元年增2位数 价格要反弹须看这因素

【财经中心/台北报导】TrendForce预估2024年记忆体原厂对DRAM与NAND Flash的减产策略将延续,尤其以亏损严重的NAND Flash更明确。预期在2024上半年消费性电子市场需求能见度仍不明朗下,加上通用型伺服器资本支出受AI伺服器排挤,而显得需求相对疲弱下,因2023年基期已低,加上部分记忆体产品价格达相对低点,预估DRAM及NAND Flash需求位元年成长率将达13%及16%。

TrendForce估本季Mobile DRAM合约价涨13~18% 明年首季价格续扬

TrendForce估本季Mobile DRAM合约价涨13~18% 明年首季价格续扬

【记者陈修凯/台北报导】根据TrendForce最新研究显示,第4季Mobile DRAM合约价季涨幅预估将扩大至13~18%;NAND Flash方面,eMMC、UFS第4季合约价涨幅约10~15%;由于Mobile DRAM一直以来获利表现均较其他DRAM产品来的低,因此成为本次的领涨项目。

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