陈沛铭解释，三大DRAM厂节点进入12奈米以下后，产品需倚赖ECC补偿设计，难以再回头生产不含ECC标准的DDR4，导致市场出现「结构性缺口」。目前DDR4主要供应仅剩华邦与南亚科两家，供需偏紧短期难解。
陈沛铭指出，现阶段月产能约1.5万片晶圆，内部已有扩产规划，满载可望至约2.7万片，实际比重将依客户需求调整。公司将于本月底董事会讨论新一波投资案，机台交期已由过去约15个月缩短至约9个月，若决议通过，明年第三至四季可望逐步开出。以高雄厂来说，每增加1千片/月，资本支出约30～40亿元，新一轮投资「百亿起跳」属合理区间。另外，台中厂已核准扩充NOR Flash月产能5千片，约需资本支出60～70亿元。
华邦电也将把DRAM由20奈米升至16奈米制程，已完成生产认证（CPR）即便升级后仍难完全满足需求，后续将以「片数增加＋节点升级」双轨并行。同时，16奈米的首批8G产品已送样，预计明年第一季末至第二季初进入小量出货，良率与循环时间逐步优化。
陈沛铭提到，边缘AI产品（CUBE）研发已投入三年，预计2026年下半年起将见较显著进展，2027年加速放量，为中长期新增成长曲线。
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