Lam Research 全球产品事业群资深副总裁 Sesha Varadarajan 指出，VECTOR TEOS 3D 能沉积业界最厚、且无空隙的晶片间介电层薄膜，并可根据先进堆叠方案的严苛需求进行客制化，即便在高应力、翘曲严重的晶圆环境下也能适用。他强调，该设备是 Lam 在先进封装解决方案组合中的新成员，能提供差异化的原子级创新，协助晶片制造商突破摩尔定律的限制，迎接 AI 驱动的新世代。
近年 AI 应用的爆炸性成长，带动市场对高效能运算晶片的庞大需求。晶片制造商纷纷导入 3D 先进封装与小晶片（chiplet）架构，将记忆体与处理单元紧密结合，借此缩短电路路径、提升处理速度与效能。然而，随著堆叠高度与复杂度提升，制程挑战同步增加，晶圆应力引发的翘曲、以及薄膜裂缝与空隙都可能降低良率。VECTOR TEOS 3D 正是为此而生，能以奈米级精度沉积厚达 60 微米的介电薄膜，并具备延展至 100 微米以上的能力。这类薄膜不仅支撑结构与热力学需求，还能避免层状剥离等常见封装失效。
在硬体设计上，TEOS 3D 内建 Lam Research 独创的翘曲晶圆载盘技术，并配合最佳化的载盘设计，能于处理厚晶圆时维持稳定性，即便面对极端翘曲状况，依旧可实现均匀沉积效果。这项突破大幅提升先进封装的制程可行性，让高良率量产成为可能。
Lam Research 在先进封装领域已深耕逾 15 年，并在介电薄膜沉积累积数十年的专业经验。VECTOR TEOS 3D 建立于既有的 VECTOR Core 与 TEOS 系列基础上，不仅象征该公司在整合封装材料与制程创新上的持续进展，更进一步强化其在全球半导体供应链的领先地位。官方表示，TEOS 3D 是完整产品组合中的关键拼图，未来将持续推动制程效率、良率与生产力，助力晶片制造商在 AI 与 HPC 的浪潮下抢占市场先机。
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