GAA与CFET技术突破关键！ASM透过ALD与磊晶技术推进埃米制程

Glen Wilk指出，随AI与高效能运算需求攀升，晶片正加速垂直3D化，沉积制程的精准度与厚度控制成为核心挑战。ASM的ALD与Epi技术能在GAA与CFET架构中提供原子级均匀性与覆盖率，支援高密度、低功耗设计。他并提出「选择性沉积（ASD）」技术，能只在指定位置沉积材料，有助提升良率与可靠度，适用于先进制程与异质整合应用。

随著FinFET走向极限，GAA与CFET成为主流。Glen Wilk强调，GAA时代通道不再依赖微影蚀刻，而是透过磊晶「长出来」，使磊晶技术在先进逻辑制程中地位更形关键。他也指出，自7奈米起，线宽微缩放缓，性能提升更多仰赖设计技术协同优化（DTCO）、系统技术协同优化（STCO）及先进封装，进一步凸显薄膜沉积的精准控制需求。

ASM今年亦参与AI半导体技术概念区，设置互动摊位并推出「原子层沉积大师」游戏，让参观者透过数位装置模拟工程师堆叠导电层、介电层与3D结构层，体验原子级精准工艺。

ASM目前在ALD市占率逾五成，连续八年维持双位数成长，并计划至2028年前持续扩编。台湾总经理吕秉澄表示，公司已深耕台湾近20年，近五年规模成长三倍，据点遍及林口、新竹、台中、台南与高雄。今年至2026年底将新增逾百个职缺，并持续强化国际训练与跨国轮调机制，展现台湾工程师在全球布局的关键角色。