随著AI进入边缘与终端装置应用，IoT的记忆体需求亦快速攀升。越来越多日常装置内建AI功能，从智慧手机到智慧家电皆内嵌机器学习模型，以提升互动性和自主决策能力。这股趋势带动IoT装置硬体规格升级，特别是对记忆体频宽和功耗的需求显著提高，以满足在装置端执行AI演算法所需的资料处理与模型载入需求。爱普*新推出ApSRAM产品，提供高频宽且降低数倍的功耗，满足了客户对高效能及待机时间的要求，已成功引起客户高度关注，预计于2025年下半年正式量产。
大语言模型开发竞争激烈，加上DeepSeek的推出，促使业界开始寻求在HBM外的记忆体替代方案，而爱普*VHM（Very High-bandwidth Memory）的3D堆叠，整合DRAM与逻辑晶片架构，大幅增加记忆体与处理器之间的连接带宽，这样的产品特性正符合此需求。此外，爱普*正积极开发的VHMStack技术，可实现高度客制化能力，DRAM层数可根据不同应用需求进行调整，以满足各类高性能计算及资料密集型应用在容量上的需求，现今VHMStack已逐步导入各项应用并获得客户认同。
目前矽电容技术正朝著更高密度、更薄型和更易于系统整合的方向演进，也因电子产品小型化趋势和高可靠性元件需求提升而逐渐崭露头角。爱普*采用记忆体堆叠技术开发的S-SiCap（Stack Silicon Capacitor），这种堆叠电容结构具有高密度，高稳定性，以及极低的ESL和ESR的特性，在高频运作时能大幅改善电压稳定性。
另外，爱普*的S-SiCap Interposer带矽电容的中介层产品已获多家客户导入，2024年下半年已开始有初步销售，预期在2025年会有较显著的营收贡献。惟因美国在AI/HPC领域的出口禁令管制，对先进封装供应链审查更趋严格，可能会间接影响部份专案的短期进度，但是不影响此一产品线的中长期潜力。
爱普在本次法说会中首次提到将进军UHF RFID 标签IC领域。UHF RFID是一个相当成熟的市场，近年大量应用在标签市场上快速成长。这个市场是IoT市场最重要的组成部分之一。标签IC市场规模在四、五亿美元左右，每年以两位数百分比成长。公司利用自家独有的记忆体技术，能大幅度降低客户总体拥有成本Total Cost of Ownership (TCO)。爱普 * 提到，与所投资新创公司共同合作开发的产品验证基本完成，预计在今年会开始量产。
展望2025年，爱普*持续推动技术创新，并积极布局AI市场。随著创新技术如VHM及S-SiCap的应用产品逐步进入量产阶段，加上新切入的RFID 标签IC产品线，将成为未来业绩的重要成长动能。此外，爱普将持续深化客制化解决方案，以精准回应市场需求，整体营运展望将可乐观看待。
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