随著AI进入边缘与终端装置应用,IoT的记忆体需求亦快速攀升。越来越多日常装置内建AI功能,从智慧手机到智慧家电皆内嵌机器学习模型,以提升互动性和自主决策能力。这股趋势带动IoT装置硬体规格升级,特别是对记忆体频宽和功耗的需求显著提高,以满足在装置端执行AI演算法所需的资料处理与模型载入需求。爱普*新推出ApSRAM产品,提供高频宽且降低数倍的功耗,满足了客户对高效能及待机时间的要求,已成功引起客户高度关注,预计于2025年下半年正式量产。
大语言模型开发竞争激烈,加上DeepSeek的推出,促使业界开始寻求在HBM外的记忆体替代方案,而爱普*VHM(Very High-bandwidth Memory)的3D堆叠,整合DRAM与逻辑晶片架构,大幅增加记忆体与处理器之间的连接带宽,这样的产品特性正符合此需求。此外,爱普*正积极开发的VHMStack技术,可实现高度客制化能力,DRAM层数可根据不同应用需求进行调整,以满足各类高性能计算及资料密集型应用在容量上的需求,现今VHMStack已逐步导入各项应用并获得客户认同。
目前矽电容技术正朝著更高密度、更薄型和更易于系统整合的方向演进,也因电子产品小型化趋势和高可靠性元件需求提升而逐渐崭露头角。爱普*采用记忆体堆叠技术开发的S-SiCap(Stack Silicon Capacitor),这种堆叠电容结构具有高密度,高稳定性,以及极低的ESL和ESR的特性,在高频运作时能大幅改善电压稳定性。
另外,爱普*的S-SiCap Interposer带矽电容的中介层产品已获多家客户导入,2024年下半年已开始有初步销售,预期在2025年会有较显著的营收贡献。惟因美国在AI/HPC领域的出口禁令管制,对先进封装供应链审查更趋严格,可能会间接影响部份专案的短期进度,但是不影响此一产品线的中长期潜力。
爱普在本次法说会中首次提到将进军UHF RFID 标签IC领域。UHF RFID是一个相当成熟的市场,近年大量应用在标签市场上快速成长。这个市场是IoT市场最重要的组成部分之一。标签IC市场规模在四、五亿美元左右,每年以两位数百分比成长。公司利用自家独有的记忆体技术,能大幅度降低客户总体拥有成本Total Cost of Ownership (TCO)。爱普 * 提到,与所投资新创公司共同合作开发的产品验证基本完成,预计在今年会开始量产。
展望2025年,爱普*持续推动技术创新,并积极布局AI市场。随著创新技术如VHM及S-SiCap的应用产品逐步进入量产阶段,加上新切入的RFID 标签IC产品线,将成为未来业绩的重要成长动能。此外,爱普将持续深化客制化解决方案,以精准回应市场需求,整体营运展望将可乐观看待。
