随著 AI 技术蓬勃发展，对于更高效能、更低能耗的记忆体需求持续攀升。美光 1γ DRAM 在效能、能耗与位元密度方面皆有显著提升。透过采用 EUV（极紫外光微影）技术及高介电质金属闸极 CMOS 技术，美光成功提升制程精度，并在每片晶圆的位元产出量上较前一代增加 30%。
美光科技执行副总裁暨技术和产品执行长 Scott DeBoer 表示，美光凭借深厚的 DRAM 开发专业，结合策略性 EUV 微影技术应用，推出领先业界的 1γ 记忆体技术。此节点不仅展现美光在制造效率上的优势，也让公司能够扩大记忆体供应，以满足 AI 产业不断增长的需求。
美光1γ 制程技术不仅带来更高效能与更低功耗，亦将全面整合至旗下的记忆体产品组合中。此节点的创新基础来自 CMOS 技术的进步，包括电晶体效能提升、设计最佳化与特征尺寸微缩，使其在节能与效能扩展方面具备优势。此外，EUV 微影技术、高纵横比蚀刻技术的应用，进一步强化了位元密度，为市场提供更具竞争力的产品。
美光科技执行副总裁暨业务执行长 Sumit Sadana 指出，1γ DRAM 是美光在记忆体技术上的又一次重大突破，其卓越的能源效率与效能表现将为 AI 生态系统提供关键动能。从资料中心到边缘运算，1γ DRAM 的应用范围广泛，可协助客户应对未来技术发展的挑战。
1γ DRAM 节点的推出将推动各类应用转型，涵盖资料中心、AI PC、行动装置与车用市场。针对资料中心，美光的 1γ DDR5 记忆体方案可提升伺服器效能 15%，同时强化能源效率，协助企业优化机架级电源与散热设计。对于 AI PC 及行动装置，美光 1γ LPDDR5X 可降低能耗 20%，延长电池续航力并提升使用者体验。在车用领域，1γ LPDDR5X 记忆体的资料传输速率达 9600MT/秒，提供更高效能与更长寿命的解决方案。
AMD 伺服器平台解决方案工程部门企业副总裁 Amit Goel 表示，AMD 已开始验证美光 1γ DDR5 记忆体，并期待与美光合作，推动资料中心运算技术的发展。
Intel 记忆体与 IO 技术副总裁暨总经理 Dimitrios Ziakas指出，1γ DRAM 为伺服器与 AI PC 带来更稳定的功耗控制与能量密度提升，Intel 正积极进行相关验证，未来将进一步强化产品效能与 PC 电池续航力。
美光科技表示，符合资格的客户与合作伙伴可加入其 DDR5 技术应用支援计划（TEP），以获取技术资讯、电子与散热模型，并获得设计、开发与导入下一代运算平台的相关支援。随著 1γ DRAM 产品阵容的逐步扩展，美光将持续推动记忆体技术发展，助力全球运算生态系统的演进。
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