三星3奈米GAA卡关！传美国厂遭拖累　良率仅20%远低于量产水准

三星是最早从鳍式场效电晶体架构（FinFET）转入环绕闸极电晶体架构（Gate-All-Around，GAA）的厂商，由于接触面积增加，并透过降低供电电压、增加驱动电流能力以提升性能，让电晶体得以承载更多电流，并且更小。

根据韩媒《韩国时报》指出，尽管三星努力提升良率，但是三星在今年第一季的3奈米GAA良率仍在个位数，并慢慢成长到20%，但是南韩分析师点出，要让高通等大客户愿意下单，良率必须爬升到60％才有可能。此外，由于三星提早采用GAA技术，晶片制造成本大幅增加。此外，由于良率提升效果不佳，韩媒指出，三星位于美国德州的泰勒市的晶圆代工建厂行动，可能会从明年下半年延迟到2026年。

三星在今年晶圆代工论坛指出，三星在2022年6月宣布量产3奈米GAA 多桥通道场效应电晶体（MBCFET）制程（SF3E）后，采用奈米片设计，今年宣布第二代3奈米GAA制程（SF3），并导入第二代MBCFET，还有性能加强版的SF3P，能用于高效能运算晶片。直到2025年，三星将大规模量产2奈米制程（SF2），2027年将量产SF1.4制程，约莫为14A制程。

但是三星德州厂可能遭到量率不佳拖累，更牵扯美国晶片法案补助的66亿美元，三星要全部取得恐怕非常困难。不过，若是三星的良率能够提升，将有助于辉达等厂商，让他们可以在先进制程以更优惠的价格替其产品代工生产。