美国时间周二（6月27日），三星在矽谷举办「2023三星晶圆代工论坛」，会中三星宣布将提高晶片代工产能，并引进更先进的制程技术。此外，三星还发布该公司2奈米等先进制程的具体路线图。
三星去年6月实现基于全环绕栅极（GAA）技术的3奈米制程半导体产品量产，之前也公布将于2025年起量产基于GAA技术的2奈米工艺半导体。
财联社报导，GAA技术是新一代半导体的核心制程技术，能够提升资料处理速度、电力效率和电晶体性能。与目前最先进的3奈米技术比较，三星的2奈米制程将提高性能12%、并节能25%。
三星在论坛提出关于2奈米工艺半导体的具体时间表，自2025年起首先将该技术用于移动终端，2026年将2奈米工艺适用于高速运算（HPC）领域；并于2027年将其用途扩至车用晶片。
展望未来，三星还确认在2027年开始批量生产首批1.4奈米晶片的计划。
三星总裁暨晶圆代工事业部负责人崔世英表示，「三星代工一直以领先的技术创新曲线来满足客户的需求，今天，我们相信，我们基于GAA的先进节点技术将有助于支援客户使用人工智慧应用程式的需求。确保客户的成功是我们代工服务的最核心价值。」
财联社指出，除了推进先进制造工艺外，三星还决定拓展专业晶片代工服务；首先，三星将从2025年起提供人工智慧技术所需的8吋氮化镓（GaN）功率半导体的代工服务，该半导体的特色是高性能低电耗，目标应用是消费者、资料中心和汽车应用。
同年，三星还将开始生产支持6G网路技术的5奈米射频晶片。该射频晶片将采用三星的5奈米工艺制造，其功率效率将比之前的14奈米射频晶片提高40%，面积则减少50%。
与此同时，公司还要提高生产能力，透过增加无尘室扩产，服务更多的客户。三星计划到2027年，该公司的无尘室总空间将比2021年扩大7.3倍。三星表示，将在韩国平泽工厂和美国德州Taylor工厂新建生产线。
2奈米工艺被视为下一代半导体制程的关键性突破，它能够为晶片提供更高的性能和更低的功耗。
作为三星最大竞争对手台积电，该公司于去年研讨会就披露其2奈米晶片的早期细节。台积电的2奈米晶片将采用N2平台，引入GAAFET奈米片电晶体架构和背部供电技术。
台积电推出的采用奈米片电晶体构架的2奈米制程技术，在相同功耗下较3奈米工艺速度快10%至15%，在相同速度下功耗降低25%至30%。
财联社指出，英特尔也为先进制程做好准备。该公司已经完成Intel 20A和Intel 18A的制程工艺的开发（分别对应2奈米和1.8奈米）。Intel 20A工艺将引入两种全新的技术，PowerVia背部供电技术和RibbonFET全环绕栅极电晶体，RibbonFET就是基于GAA技术，只是英特尔将其命名为了RibbonFET。
英特尔还表示，将于2024年量产Intel 20A、以及更加先进的Intel 18A。根据英特尔的说法，Intel 18A的性能会完全超过台积电和三星的2奈米工艺。
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