2018年，世界先进以Qromis基板技术（简称QST TM）进行8吋QST基板的0.35微米650 V GaN-on-QST制程开发，于今年第1季开发完成，于第4季成功量产，世界先进同时已和海内外整合元件制造（IDM）厂及IC设计公司展开合作。
QST基板相较于以矽（Si）作为基板，具有与氮化镓磊晶层更匹配的热膨胀系数（CTE），在制程中堆叠氮化镓的同时，也能降低翘曲（warpage）破片，更有利于实现量产。
世界先进的0.35微米650 V GaN-on-QST制程能与公司既有的8吋矽晶圆机台设备在开发与生产上相互配合使用，以达最佳生产效率及良率。根据客户端的系统验证结果，世界先进提供的氮化镓晶圆于快充市场的应用上，针对65W以上的快充产品，其系统效率已达世界领先的水准。
此外，基于QST基板的良好散热特性，在整体快充方案效能上，世界先进提供的氮化镓晶圆具有更优良的散热表现。
世界先进公司营运长尉济时表示：「世界先进公司身为特殊积体电路制造服务的领导厂商，不断精进制程技术，以提供客户最具效益的完整解决方案及高附加价值的服务。我们的0.35微米650 V GaN-on-QST制程具备效能及可靠性优势，不仅提供客户更优化的积体电路设计选择，亦协助提升客户产品的竞争力。」
世界先进0.35微米650 V GaN-on-QST制程除了650 V的元件选择之外，也提供内建静电保护元件（ESD），客户得以更便利的进行设计选择。而该制程除具备更优异的可靠性与信赖性，针对更高电压（超过1,000 V）的扩充性，世界先进也已经与部分客户展开合作，以满足客户的产品需求。
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